选型手册：VS3510AP P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS3510AP 是一款面向 - 30V 低压场景的 P 沟道增强型功率 MOSFET，支持 5V 逻辑电平控制，凭借低导通电阻与高电流承载能力，适用于低压电源管理、负载开关、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

器件类型：P 沟道增强型功率 MOSFET

核心参数：

漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电压供电场景；

导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\) 时典型值 10mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\) 时典型值 17mΩ，低压场景下传导损耗较低；

连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\) 时 -45A，\(T=100^\circ\text{C}\) 时降额为 -28A；

脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：-180A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

5V 逻辑电平控制：适配 5V 逻辑驱动电路，无需额外电平转换，简化系统设计；

低导通电阻：10~17mΩ 低阻设计，降低低压负电压场景下的传导损耗；

快速开关 + 高能量效率：开关速度优异，提升电源转换与负载控制的效率；

高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 56mJ，感性负载开关场景下稳定性强；

环保合规：采用无铅引脚镀层，满足无卤要求且符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数

符号

数值（Rating）

单位

漏源极击穿电压 \(V_{DSS}\) -30 V

栅源极电压 \(V_{GS(MAX)}\) ±20 V

二极管连续正向电流 \(I_S\) 425 A

连续漏极电流（\(V_{GS}=-10V\)） \(I_D\)\(T=25^\circ\text{C}\): -45；\(T=100^\circ\text{C}\): -28 A

脉冲漏极电流 \(I_{DM}\) -180 A

连续漏极电流（\(V_{GS}=-10V\)，环境温约束） \(I_{DSM}\)\(T_a=70^\circ\text{C}\): -15 A

单脉冲雪崩能量 \(E_{AS}\) 56 mJ

最大功耗 \(P_D\)\(T=25^\circ\text{C}\): 37；\(T=100^\circ\text{C}\): 16 W

最大功耗（环境温约束） \(P_{DSM}\)\(T_a=25^\circ\text{C}\): 4；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 2.8 W

结 - 壳热阻 \(R_{thJC}\) 3.4 ℃/W

结 - 环境热阻 \(R_{thJA}\) 30 ℃/W

工作 / 存储温度范围 \(T_J、T_{STG}\) -55~+150 ℃

四、封装与应用场景

封装形式：PDFN5x6 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配高密度、高功率密度的电路板设计；

典型应用：

低压电源管理系统：为负电压电源分配、电压调节环节提供高效开关控制；

负载开关：用于中功率负载的通断管理，-45A 电流能力支持各类设备的电源控制；

DC/DC 转换器：在低压降压拓扑的 P 沟道开关侧工作，低损耗特性提升电源转换效率。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）